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        51單片機(jī)實(shí)習(xí)報(bào)告(優(yōu)秀范文三篇)

        發(fā)布時(shí)間:2022-10-26 20:51:32

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        第一篇:?jiǎn)纹瑱C(jī)實(shí)習(xí)報(bào)告總結(jié)范文

        這次實(shí)習(xí)我們使用控制電路的單片機(jī)是at89s51型號(hào)的,單片機(jī)實(shí)習(xí)報(bào)告總結(jié)。通過(guò)它實(shí)現(xiàn)對(duì)八盞雙*燈發(fā)光二極管的控制p0和p2口控制四盞燈。在at89s51的9引腳接復(fù)位電路,對(duì)電路實(shí)現(xiàn)復(fù)位控制。在電路中接入74s164譯碼器和共*極數(shù)碼管,通過(guò)at89s51的p3口數(shù)據(jù)的輸入對(duì)共*極數(shù)碼管的控制。

        同時(shí)也可實(shí)現(xiàn)雙*發(fā)光的二極管與共*極數(shù)碼管的共同作用。在at89s51的p3.2口接上中斷控制電路,p3.5口接入蜂鳴器,使電路實(shí)現(xiàn)中斷作用,也使電路便于檢測(cè)。盡量朝“單片”方向設(shè)計(jì)硬件系統(tǒng)。系統(tǒng)器件越多,器件之間相互干擾也越強(qiáng),功耗也增大,也不可避免地降低了系統(tǒng)的穩(wěn)定*。系統(tǒng)中的相關(guān)器件要盡可能做到*能匹配。如選用cmos芯片單片機(jī)構(gòu)成低功耗系統(tǒng)時(shí),系統(tǒng)中所有芯片都應(yīng)盡可能選擇低功耗產(chǎn)品。

        硬件電路設(shè)計(jì):

        1)確保硬件結(jié)構(gòu)和應(yīng)用軟件方案相結(jié)合。硬件結(jié)構(gòu)與軟件方案會(huì)相互影響,軟件能實(shí)現(xiàn)的功能盡可能由軟件實(shí)現(xiàn),以簡(jiǎn)化硬件結(jié)構(gòu)。必須注意,由軟件實(shí)現(xiàn)的硬件功能,一般響應(yīng)時(shí)間比硬件實(shí)現(xiàn)長(zhǎng),且占用cpu時(shí)間;

        2)可靠*及抗干擾設(shè)計(jì)是硬件設(shè)計(jì)必不可少的一部分,它包括芯片、器件選擇、去耦濾波、印刷電路板的合理布線、各元器相互隔離等;

        3)盡量朝“mcs-51單片”方向設(shè)計(jì)硬件系統(tǒng)。系統(tǒng)器件越多,器件之間相互干擾也越強(qiáng),所消耗功耗也增大,也不可避免地降低了系統(tǒng)的穩(wěn)定*;

        4)系統(tǒng)中的相關(guān)器件要盡可能做到*能匹配。如選用cmos芯片單片機(jī)構(gòu)成低功耗系統(tǒng)時(shí),系統(tǒng)中所有芯片都應(yīng)盡可能選擇低功耗產(chǎn)品。

        1.1單片機(jī)型號(hào)及特*

        單片機(jī)型號(hào)是at89s51。特*是:⑴8031cpu與mcs-51⑵兼容4k字節(jié)可編程flash存儲(chǔ)器(壽命:1000寫(xiě)/擦循環(huán))⑶全靜態(tài)工作:0hz-24khz⑷三級(jí)程序存儲(chǔ)器保密鎖定⑸128*8位內(nèi)部ram⑹32條可編程i/o線⑺兩個(gè)16位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器⑻6個(gè)中斷源⑼可編程串行通道⑽低功耗的閑置和掉電模式⑾片內(nèi)振蕩器和時(shí)鐘電路

        1.2晶振電路

        單片機(jī)晶振的兩個(gè)電容的作用這兩個(gè)電容叫晶振的負(fù)載電容,分別接在晶振的兩個(gè)腳上和對(duì)地的電容,一般在幾十皮發(fā)。它會(huì)影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度,晶振的負(fù)載電容=[(cd*cg)/(cd+cg)]+cic+△c式中cd,cg為分別接在晶振的兩個(gè)腳上和對(duì)地的電容,cic(集成電路內(nèi)部電容)+△c(pcb上電容)經(jīng)驗(yàn)值為3至5pf。各種邏輯芯片的晶振引腳可以等效為電容三點(diǎn)式振蕩器。晶振引腳的內(nèi)部通常是一個(gè)反相器,或者是奇數(shù)個(gè)反相器串聯(lián)。在晶振輸出引腳xo和晶振輸入引腳xi之間用一個(gè)電阻連接,對(duì)于cmos芯片通常是數(shù)m到數(shù)十m歐之間.很多芯片的引腳內(nèi)部已經(jīng)包含了這個(gè)電阻,引腳外部就不用接了。

        這個(gè)電阻是為了使反相器在振蕩初始時(shí)處與線*狀態(tài),反相器就如同一個(gè)有很大增益的放大器,以便于起振.石英晶體也連接在晶振引腳的輸入和輸出之間,等效為一個(gè)并聯(lián)諧振回路,振蕩頻率應(yīng)該是石英晶體的并聯(lián)諧振頻率.晶體旁邊的兩個(gè)電容接地,實(shí)際上就是電容三點(diǎn)式電路的分壓電容,接地點(diǎn)就是分壓點(diǎn).以接地點(diǎn)即分壓點(diǎn)為參考點(diǎn),振蕩引腳的輸入和輸出是反相的,但從并聯(lián)諧振回路即石英晶體兩端來(lái)看,形成一個(gè)正反饋以保*電路持續(xù)振蕩.在芯片設(shè)計(jì)時(shí),這兩個(gè)電容就已經(jīng)形成了,一般是兩個(gè)的容量相等,容量大小依工藝和版圖而不同,但終歸是比較小,不一定適合很寬的頻率范圍.外接時(shí)大約是數(shù)pf到數(shù)十pf,依頻率和石英晶體的特*而定.需要注意的是:這兩個(gè)電容串聯(lián)的值是并聯(lián)在諧振回路上的,會(huì)影響振蕩頻率.當(dāng)兩個(gè)電容量相等時(shí),反饋系數(shù)是0.5,一般是可以滿足振蕩條件的,但如果不易起振或振蕩不穩(wěn)定可以減小輸入端對(duì)地電容量,而增加輸出端的值以提高反饋量。

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