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第一篇：篇一測繪科研項目申請書范文
本項目將著重于新型量子功能材料的物性表征和新型量子功能材料的探索。主要研究方向為關聯(lián)系統(tǒng)中的高溫超導體、龐磁阻材料、石墨烯和拓撲絕緣體等材料中的電荷、軌道、自旋等自由度相互競爭、相互耦合，以及因此產(chǎn)生的多個量子態(tài)競爭和共存、自旋量子霍爾效應等現(xiàn)象。探索新型量子功能材料、發(fā)現(xiàn)新的量子態(tài)；對新型量子材料的物理基本性質(zhì)進行研究、輸運性質(zhì)進行高精度測量、結(jié)合理論研究理解關聯(lián)體系的物理機制；利用各種實驗手段測量石墨烯和拓撲絕緣體的物理性質(zhì)，研究因維數(shù)效應產(chǎn)生的新奇物理現(xiàn)象。按照項目的不同側(cè)重點和研究手段的不同，將項目按照材料探索、物性研究、輸運性質(zhì)的高精度測量和低維體系四個方面展開研究：
1、新型超導材料和量子態(tài)的探索：
本課題的首要目標是探索新的高溫超導材料，同時發(fā)展晶格結(jié)構和電子結(jié)構分析技術，以及超高壓測量技術，分析自旋、電荷、軌道等有序現(xiàn)象，努力發(fā)現(xiàn)新的量子現(xiàn)象。研究內(nèi)容互相補充，細分為以下幾個方向：
（1）新材料的探索與合成及單晶生長：探索新超導材料，主要從事鐵基超導材料以及類似的層狀、多層含有類似Fe―As面的多元化合物的探索，以及包含稀土和過渡元素的其他層狀多元化合物中的新材料探索；總結(jié)樣品合成和成相規(guī)律，發(fā)展新方法、新工藝，尋找新現(xiàn)象、新效應；另外將生長高質(zhì)量單晶樣品以用于深入的物理研究。
（2）晶體結(jié)構表征與研究：對發(fā)現(xiàn)的新材料進行晶格結(jié)構、化學成分的表征，從而促進材料的探索；研究新的結(jié)構現(xiàn)象，深入分析新型超導體的微結(jié)構―物理性能之間的關聯(lián)，研究化學成鍵、電子能帶結(jié)構，研究高/低溫結(jié)構相變等，研究晶格中缺陷、畸變對超導的影響。
（3）超高壓下的量子效應研究：研發(fā)一套超高壓低溫測量系統(tǒng)（100GPa，1.5K），在此基礎上研究超高壓下鐵基材料以及其他新材料中可能出現(xiàn)的新奇量子現(xiàn)象、超高壓對超導轉(zhuǎn)變的影響、高壓高場下材料的物性和相圖，探索高壓下可能出現(xiàn)的新量子態(tài)和新奇量子現(xiàn)象。
（4）中子散射研究：研究銅氧化物和鐵基高溫超導材料以及其他新材料的晶格精細結(jié)構，電子自旋、電荷、軌道有序結(jié)構，研究超導材料及其母體中的自旋激發(fā)、自旋漲落的形成、演變及其和超導的關系，研究材料中形成的新的量子態(tài)和量子現(xiàn)象。
2、關聯(lián)體系量子功能材料的物性研究：
利用譜學的方法研究新型量子功能材料的電子結(jié)構，主要包括ARPES，STM和自旋極化的STM（SP―STM），以及紅外光譜的方法研究關聯(lián)系統(tǒng)（以高溫超導體和龐磁阻材料為主）的電子結(jié)構，爭取在高溫超導和龐磁阻材料的機理研究中有重大突破。具體到各種譜學實驗方法和強關聯(lián)體系中的問題，細分為：
（1）以高精度角分辨光電子能譜為手段，深入研究以高溫超導體（包括銅氧超導體和鐵基超導體）為主的多種新奇超導體材料。本項目將結(jié)合我們在高溫超導材料和角分辨光電子能譜上的優(yōu)勢，對高溫超導體進行深入系統(tǒng)的研究，重點研究超導態(tài)對稱性、贗能隙、電子與其它集體激發(fā)模式耦合等現(xiàn)象。
（2）錳氧化物體系，特別是三維鈣鈦礦結(jié)構錳氧化物薄膜的電子結(jié)構，我們將在不同晶格參數(shù)的襯底上生長具有不同組分和厚度的高品質(zhì)外延錳氧化物薄膜，用ARPES原位測量體系的電子結(jié)構?？偨Y(jié)錳氧化物體系電子結(jié)構隨組分、應力和溫度的變化規(guī)律，研究電子―電子及電子―波色子相互作用對電子行為的影響，揭示電子結(jié)構和宏觀物理特性之間的聯(lián)系。從電子結(jié)構的角度出發(fā)試圖闡明錳氧化物體系龐磁阻、相分離、電荷軌道有序等異常物理性質(zhì)的內(nèi)在機理。
（3）利用STM特有的原子級空間分辨率，局域態(tài)密度能譜，能量分辨譜圖，及原子操縱功能。通過高分辨率的空間掃描成像，定位表面相關原子層結(jié)構，特別是摻雜原子的位置。研究摻雜原子對表面原子層結(jié)構的調(diào)制。通過局域態(tài)密度能譜，研究庫珀電子對的激發(fā)態(tài)（超導能隙）與贗能隙（pseudogap）的關系。通過分析能量分辨譜圖，研究超導序的二維結(jié)構及其演變規(guī)律。通過改變溫度，調(diào)整摻雜濃度，及外加磁場，我們可以直觀地觀察超導序表面二維結(jié)構的變化。
（4）發(fā)展SP―STM技術研究高溫超導材料中電子自旋結(jié)構。這個新型的SP―STM將能提供原子級空間分辨率和自旋極化分辨的譜圖圖像。利用這一工具，我們將著重研究在反鐵磁與超導共存的高溫超導體中的反鐵磁自旋結(jié)構，超導磁通蝸旋中反鐵磁核心的存在早已由SO（5）理論預測，此結(jié)果將驗證SO（5）理論預測的結(jié)果。另外，我們將利用這一工具研究表面吸附的磁性原子對局域態(tài)密度能譜的影響及其與超導電子對的相互作用。
（5）建設強磁場下的紅外反射譜測量系統(tǒng)，研究磁場下高溫銅氧化物超導體和鐵基超導體的準粒子激發(fā)行為。重點研究銅氧超導體和鐵基超導體中電子與集體激發(fā)―聲子激發(fā)/自旋激發(fā)模式的耦合問題。我們將用光學響應或光電導譜對材料的電子結(jié)構，傳導載流子的動力學性質(zhì)等重要信息進行分析，研究超導配對引起的能隙特征，揭示電子是與何種集體模式存在較強的耦合等基本信息。
（6）利用高壓多重合成條件獲得結(jié)構簡單和性質(zhì)獨特的高質(zhì)量的銅基和鐵基高溫超導體及巡游磁性體系單晶，探尋關聯(lián)體系金屬化過程的量子序及其調(diào)控機制。在我們成功的高溫高壓合成以上具有特點的多晶材料的基礎上，進一步優(yōu)化壓力、溫度和組分等極端合成條件，研制和研究在結(jié)構簡單的、高質(zhì)量的含鹵素的Sr2CuO2+δCl2―x高溫超導體單晶和可能的巡游型BaRuO3單晶，以及“111”型鐵基超導體單晶體；運用多種能譜學、磁性、顯微學等物理條件的綜合表征體系，研究揭示這些體系的量子有序規(guī)律。
（7）利用我們發(fā)展的新的理論和計算方法，結(jié)合實驗組的研究進展對多種過渡金屬氧化物及其奇異物性進行定量的研究。一方面，為各種實驗現(xiàn)象及其物理本質(zhì)提供理論解釋，另一方面，計算模擬并預測一些新型的量子有序現(xiàn)象，包括金屬―絕緣體相變，軌道選擇性的Mott轉(zhuǎn)變，軌道有序態(tài)，Berry相等等。主要研究內(nèi)容包括自旋與軌道自由度相關的量子現(xiàn)象計算研究；受限強關聯(lián)電子系統(tǒng)中的量子現(xiàn)象計算研究。
3、量子材料輸運性質(zhì)的高精度測量
（1）首先我們將致力于自行研制加工一套較完備的電學、熱學和磁學測量裝置，其中包括熱導率、熱電勢、能斯特效應、微晶比熱和微杠桿磁強計等較獨特的手段。這些裝置將可以工作在低溫、高真空、強磁場的極端物理條件下，測量結(jié)果的精度具有國際領先水平。將完善一套低溫比熱測量裝置，獲得比一般商業(yè)手段高出一個量級的測量精度。建造一套轉(zhuǎn)角度的比熱測量系統(tǒng)。研究非常規(guī)超導體的低能激發(fā)和配對對稱性。完善小Hall探頭系統(tǒng)和磁場極慢掃描的振動樣品磁強計，精密測量磁場穿透行為，確定下臨界磁場和超流密度隨溫度的變化關系。
（2）我們將對高溫超導體、鐵基超導體和鈉鈷氧體系進行深入的實驗研究。這三個體系的共性是由于電子強關聯(lián)作用，電荷與自旋自由度有分離的傾向，然而相互之間又存在著精微的相互作用，從而導致高溫超導、超導與磁性緊鄰甚至共存、居里―外斯金屬等奇妙的物理現(xiàn)象。如何理解電荷與自旋自由度的關系是強關聯(lián)物理的核心理論問題之一。我們可以通過選取特定的研究手段而選擇性地分別探測電荷與自旋元激發(fā)，也可以同時研究二者之間的相互作用。將這些不同的手段結(jié)合起來將可以對關聯(lián)體系中電荷與自旋的行為提供一個較完整的圖像。我們關注的主要問題包括磁性與超導的相互關系、電荷與自旋有序態(tài)的形成機制、自旋自由度對電荷輸運和熵輸運的影響，等等。
（3）電荷與自旋的相互作用也是很多功能性關聯(lián)材料在器件應用方面的物理基礎，例如鈉鈷氧體系中自旋熵對熱電效應的貢獻、多鐵材料中外加電場對自旋取向的控制、錳氧化物中外加磁場對電阻的巨大影響，等等。在對電荷自旋相互作用基本原理的理解基礎上，我們還將探索它們在功能性器件應用方面，特別是超導效應、熱電效應、磁阻效應等在能源和信息領域的新思路、新途徑。（4）充分利用化學摻雜和結(jié)構修飾進行新量子材料體系的探索工作。采用合適的化學合成方法以及良好的合成設備，獲得高質(zhì)量的合乎要求的樣品。采用x射線衍射、電子顯微鏡等常規(guī)實驗手段對樣品進行結(jié)構表征。必要時，通過同步輻射、中子衍射等大型研究設施對系統(tǒng)的結(jié)構作更細致的測量。對高質(zhì)量樣品進行各種精密的物理性質(zhì)測量。包括電阻、磁電阻、霍爾效應、熱電效應、能斯特效應、磁化強度、比熱、熱導、光學性質(zhì)以及核磁共振和穆斯鮑爾譜等。歸納、總結(jié)系統(tǒng)的物理規(guī)律特性與電子相圖。
（5）在新型鐵基超導體系方面，我們將以元素替代作為主要探針，研究鐵基超導體的超導機理。理論上擬以CeFeAsO1―xFx、CeFeAs1―xPxO等材料為代表，發(fā)展從磁性“壞金屬”或“近莫特絕緣體”到重費米子液體過渡的理論框架，用平均場等方法、結(jié)合數(shù)值計算來研究這一理論，并以此來解釋鐵基超導材料在輸運性質(zhì)、磁學性質(zhì)等方面表現(xiàn)出來的多樣性和復雜性，探索這類體系中可能出現(xiàn)的奇特量子相變和相應的量子臨界性。
（6）在銅氧化物高溫超導方面，結(jié)合前述精確實驗測量，我們將以摻雜莫特絕緣體模型為出發(fā)點，研究贗能隙區(qū)可能存在的隱藏的量子序、量子序和超導態(tài)的競爭和共存、費米面的重組、以及到費米液體區(qū)的量子相變。希望由此理解超導相圖中在最佳摻雜區(qū)附近可能出現(xiàn)的量子臨界點以及相聯(lián)系的一系列反常輸運和磁學性質(zhì)；在重費米合金方面，我們擬以CeCu2（Si1―xGex）2等材料為代表，具體考察關聯(lián)雜化項對量子臨界點產(chǎn)生的影響，研究由于可能由于壓力效應引起的f軌道價態(tài)雜變化，以及兩個近鄰的量子相變，確定相應的電阻標度行為和量子臨界性。
4、低維量子體系和量子態(tài)的研究：
（1）探索制備高質(zhì)量的石墨烯單晶的方法，研究生長條件對單層石墨烯結(jié)構的影響，探索重復性好、效率高、成本低、易控制的制備技術。表征單層石墨烯長程有序度。通過變溫、低溫STM/STS，深入研究石墨烯體系的本征電子結(jié)構以及缺陷、摻雜對電子結(jié)構的調(diào)制。生長高質(zhì)量拓撲絕緣體單晶，研究它們的基本性質(zhì)。
（2）探索和生長高質(zhì)量的拓撲絕緣體材料，拓撲絕緣體大部分是合金材料，需要優(yōu)化目前晶體生長工藝。爭取準備組分分布均勻，形狀規(guī)整的大尺寸二元固溶體多晶錠料。
（3）利用STM和掃描隧道譜（STS）表征，研究膜石墨烯的幾何結(jié)構和本征電子結(jié)構。測量石墨烯膜的扶手椅型邊緣和鋸齒型邊緣的局域電、磁性質(zhì)。將充分發(fā)揮變溫STM優(yōu)勢，研究單個分子以及多個分子在石墨烯表面可能的奇異動力學行為或幾何結(jié)構，物化特征。
（4）利用STM研究在拓撲絕緣體的金屬表面態(tài)；通過表面沉積非磁性雜質(zhì)研究狄拉克費米子和雜質(zhì)的相互作用，無磁性中性雜質(zhì)對于拓撲絕緣體表面狄拉克費米子的散射，為輸運性質(zhì)的研究提供基礎，檢驗和理解前人有效理論預言的拓撲磁電效應。利用自旋分辨的STM技術，觀察雜質(zhì)在實空間誘導的自旋texture。在表面沉積磁性雜質(zhì)，研究體內(nèi)磁性雜質(zhì)所造成的時間反演破缺對于邊界態(tài)的影響。尤其在帶有內(nèi)部自由度的雜質(zhì)的研究中，著重研究在拓撲絕緣體背景下兩個雜質(zhì)的內(nèi)部自由度相互間的量子關聯(lián)，這對于量子信息處理將可能有重要的潛在價值。
（5）利用角分辨光電子譜測量石墨烯的電子結(jié)構，包括石墨烯的色散關系，電子―聲子相互作用，電子―激子相互作用，能隙的大小等，以及這些參數(shù)隨石墨烯層數(shù)、石墨烯與襯底相互作用導致的電子結(jié)構的變化。利用ARPES研究拓撲絕緣體的表面態(tài)，確定能級色散關系，狄拉克點的數(shù)目，判定系統(tǒng)是否是強的拓撲絕緣體。利用自旋分辨的ARPES和不同偏振模式的光源分辨電子不同自旋分支的色散關系，測量電子自旋的極化特性。
（6）利用核磁共振技術（NMR）研究研究三維拓撲絕緣體的磁性質(zhì)，從磁性質(zhì)上找到拓撲絕緣相變的證據(jù)。使用高壓和摻雜技術調(diào)節(jié)三維拓撲絕緣體量子相變，進一步研究其在量子相變點的特性。改進NMR系統(tǒng)，提高核磁共振的靈敏性，從而可以對拓撲絕緣體的表面態(tài)進行研究。研究表面的磁激發(fā)譜及其金屬態(tài)的特性，從而得到表面態(tài)在微波波段的磁性質(zhì)，并進一步與塊材絕緣態(tài)的性質(zhì)進行對比。
（7）利用第一原理計算方法（GW）、考慮電子在石墨烯的自能相互作用和電子―空穴相互作用（GW―BSE方法），解決在外加電場下雙層石墨烯的電子結(jié)構，雙層石墨烯的光學性質(zhì)對外加電場的依賴關系。以更加直觀的物理語言澄清低能有效理論所包含的物理實質(zhì)。
（8）理論研究拓撲絕緣體體內(nèi)摻雜后的物理性質(zhì)以及表面態(tài)物理性質(zhì)。著重研究體系的輸運和光學性質(zhì)，探討自旋軌道耦合以及拓撲效應在其中扮演的角色。理論研究表明拓撲絕緣體的體內(nèi)和邊界上支持分數(shù)化激發(fā)的存在，我們擬從理論上進一步解釋在撲絕緣體上出現(xiàn)分數(shù)化激發(fā)的驚奇現(xiàn)象。研究拓撲絕緣體內(nèi)部以及邊界上的量子關聯(lián)和量子糾纏，理解和直觀地刻畫這種量子關聯(lián)對于拓撲序的研究以及應用。
第二篇：學位申請書
本人自20xx年月至20xx年月在。xx學院計算機與信息工程系計算機科學與技術專業(yè)學習，完成了專業(yè)培養(yǎng)計劃要求的學分并已取得畢業(yè)資格，符合"xx學院碩士學位授予實施細則"之規(guī)定，特此提出工學碩士學位申請。
申請人：
系總支負責人：（章）年月日
學位評定分委員會意見：學位評定分委員會主席：年月日
經(jīng)碩士學位評定委員會意見：同意授予碩士學位。
學位證編號：碩士學位
評定委員會主席：年月日
第三篇：本科留學申請
一、俄羅斯本科申請流程
1、春季入學
可以在六月份畢業(yè)之后，休息幾個月之后再開始申請的準備，這樣可以給大家一個緩沖的時間，適合那些對出國留學不是特別著急的學生。
九月份的時候，可以開始對個人情況進行審視，了解本人的特長和優(yōu)勢，確定未來的學校和專業(yè)，然后進行報名，準備個人的身份材料，繳納申請費用。
十月份的時候?qū)W校的初步審核通過，然后發(fā)郵件到學生的郵箱，要求學生補齊材料，大家需要按照學校的要求來整理材料，并且按時寄給學校，這里大家有兩個月的準備時間。
大概兩周之后大家就能夠拿到申請的結(jié)果，到手之后要及時辦理簽證，審核的時間需要一個月左右，如果比較著急，可以辦理加急，拿到簽證就可以準備出國了。
2、秋季入學
而大家如果比較著急，不想浪費時間的話，可以在學校在讀期間，就開始進行申請的準備，這樣在完成了階段性的學習，順利畢業(yè)之后，就可以直接前往俄羅斯學習。
大概在三月份的時候，就需要開始準備了，需要做的事情，自然也是進行目標院校與專業(yè)的確定，這段時間還需要對個人的實際情況進行深入的了解。
四五月份是大家整理準備材料的黃金期，大多數(shù)的學校只需要學生能夠出示學歷完成的證明以及成績單即可，不過大家還可以準備一些輔助材料來增加申請的成功率。
六月初是遞交申請的黃金期，在六月末會拿到結(jié)果，然后就需要立馬進行簽證的申請，在等待期間可以整理行李，然后在九月份出發(fā)前往俄羅斯。
二、留學俄羅斯本科條件
1、學歷
想在俄羅斯去讀本科課程的學生，首先要在國內(nèi)學完高中的課程，而且俄羅斯的本科學校對于中專畢業(yè)的學生是不接受的。
2、成績
假設要在俄羅斯學習本科，還得有學生的會考分數(shù)。當然學生在國內(nèi)高考的分數(shù)對于申請是沒有用的，此外還需要學生供給高中三年的考試分數(shù)，而且學生的高中GPA必須要考到70%以上。
3、語言
到俄羅斯學習本科，如果學生想讀的是英語教育的課程，那么就需要去考IELTS或者是TOEFL，而且不管是考哪個英語考試，成績都得到相應的分數(shù)才能報考俄羅斯的本科。如果是想要讀俄語教育的課程，學生就必須會俄語，如果不會俄語的，需要先學習一年的俄語然后再去報考。但不管想要讀什么語言的課程，大家都應該要提早在國內(nèi)把語言準備好，這樣之后就可以不用再另外花時間來學語言了。而且學生就算不是讀俄語課程，也最好也要有俄語的根底，畢竟學生想要在這里生活的話，溝通中肯定是少不了俄語的。
4、年齡
一些年紀比較大的學生想在俄羅斯學習本科課程，可能不太合適，俄羅斯的本科對于學生的年齡要求是不能超過30歲。當然如果是到俄羅斯這里讀碩士等等課程，這樣的年齡是沒有問題的。
三、俄羅斯留學優(yōu)勢
1、俄羅斯教育資源優(yōu)勢
俄羅斯是世界聞名的教育大國，藝術大國，高等教育歷史悠久。具有極高的國際聲譽。擁有眾多知名大學，專業(yè)類別豐富。世界排名TOP10的國立莫斯科大學，國立圣彼得堡大學、柴可夫斯基音樂學院以及莫斯科國際關系學院等。尤其是在藝術、芭蕾、繪畫、高精尖科技方面，均屬世界一流，培養(yǎng)出眾多享譽全球的人才。留學俄羅斯不僅可以在學術上提升自己的專業(yè)素養(yǎng)，感受文化藝術氛圍，也是留學生爭相去的最大原因。
2、留學俄羅斯的手續(xù)優(yōu)勢
俄羅斯留學采取寬進嚴出，辦理簽證、入學手續(xù)很簡單。只要具備高中以上文憑，可進入俄羅斯任何一所大學預科班學習。預科結(jié)束后無需考試進入大學本科專業(yè)學習。
赴俄留學的速度比較快，申請簽證大概三四個月時間，院校發(fā)放入學通知書大概一周左右，通過移民局申請入境邀請函35―45天左右。只要學生提供的材料真實有效，均可順利取得入學邀請函和入境簽證。
3、留學俄羅斯的價格優(yōu)勢
在中俄兩國政府鼓勵和扶持互派留學利好政策的支持下，工薪階層也能圓留學夢，相比于歐美國家一年幾十萬的開銷，留學俄羅斯的費用相比國內(nèi)一線城市的生活費還要低，教學質(zhì)量和學歷含金量遠遠超過中國普通高校。各高校以及專業(yè)間的學費是不同的，預科學費大概是2萬―5萬元人民幣/年，因校而異，本科約為2萬―4萬元人民幣/年，生活費與俄羅斯城市消費水平有關，平均是1萬―2萬元。
第四篇：本科留學申請
申請條件和流程
1.中國學生需要高中畢業(yè)，申請時候提供高中畢業(yè)證書和高中三年成績單。
2.中國學生申請之前要提供雅思成績，最低分數(shù)為6分。
3.芬蘭本科多為每年秋季開學，并且是集中申請，2019秋季入學的申請時間集中在2019年1月7號到2月11號之間，可以同時有4個申請選擇。
4.芬蘭本科申請中心將在每年4DD5月份之間在中國北京，武漢或者上海，或者芬蘭在中國的使館，領事館組織芬蘭本科入學考試，根據(jù)學生所申請的專業(yè)不同，一般需要考試英語，數(shù)學，物理（商科），或者英語和數(shù)理化綜合試卷 （理工類），另外部分學校還要求口語面試或者電話面試。通知考試的信件中會提及到考試地點，費用，以及所考成績會被哪幾所學校認可。
5.申請結(jié)果將在6月初以書面形式發(fā)到申請人手中。
芬蘭留學申請材料
存款證明
被芬蘭高等院校接受的外國學生，必須出示能夠支付在芬蘭生活和學習所需所有費用的證明。芬蘭及其它國家的居民均可作經(jīng)濟擔保人。經(jīng)濟擔保證明形式應是銀行出具的申請人立戶及帶有存款金額的證明。擔保人必須在芬蘭一家銀行以申請人名義（即在申請人名下）存入一年所需費用6500美元，然后由銀行出個申請人立戶及存款金額證明。
申請人須有最低額為7000美元銀行匯票，或本人在芬蘭銀行的存款證明，第三國經(jīng)濟擔保無效。
芬蘭的學生可以每周打工20個小時，但是工作很不好找，主要是語言問題。如果申請去的是一些小城市學習，工作機會更少。雇主非?？粗袑W習成績，所以打工，也還是先要好好學習。
1.填寫完整的申請表。
2.最高學歷或大學在讀公證書及各學期成績單的公證書。
3.英語語言能力證明：TOEFL或IELTS成績或英文考級證明。
4.個人簡歷：包括出生日期、婚姻狀況、家庭住址、個人愛好、學習經(jīng)歷、工作經(jīng)歷等。
5.工作經(jīng)歷公證書：如已工作請寫明工作經(jīng)歷、工作職務及職責范圍，并附工作單位評語、推薦信（加蓋公章）。
6.學習計劃：要寫明赴芬蘭就學目的、選擇專業(yè)動機、赴芬蘭就學經(jīng)濟來源、個人發(fā)展計劃、興趣愛好及性格特點的描述等，全文應在1000字左右。
7.照片6張。
8.在一張空白紙上打印上你的中、英文通信地址、郵編及電話。
注：以上資料均要求中、英文對照，除公證書外全部使用A4規(guī)格紙張。
申請注意事項
申請時間：每年的1月到2月；
申請方式：網(wǎng)申，主要填一些基本資料；
申請注意事項：網(wǎng)申時需選擇目標學校，總共可以選擇4所，需按照先后順序排序。（當申請遞交之后，你的資料將會按照這個順序到你所選的學校進行審核，不過一般情況下，當你的情況符合基本要求時，基本上所選的學校都會發(fā)來入學考試邀請函的）；
遞交申請材料：申請本科的同學，只需要準備高中相關的資料就行了：高中畢業(yè)證復印件及翻譯件，高中三年成績單復印件及翻譯件，雅思成績單復印件（雅思要求6分及以上）。這些材料需郵寄到目標學校。
芬蘭留學優(yōu)勢
一、環(huán)境優(yōu)美
芬蘭有“千湖之國”的美譽，森林覆蓋率為74%，高居世界第二，因此芬蘭境內(nèi)空氣純凈，最適宜學習與居住。
二、經(jīng)濟發(fā)達
發(fā)達的國家經(jīng)濟、世界領先的科學技術鑄就了芬蘭連續(xù)三年被達沃斯世界經(jīng)濟論壇評選為世界上最有競爭力的經(jīng)濟體。
三、教育水平高，高等教育免學費
芬蘭有近50所大學和高等理工學院，均為國立院校，教育質(zhì)量高；65%國民受過高等教育，英語在芬蘭被廣泛使用；高等教育免收學費，有眾多英語授課項目供國際學生選擇。
四、安全
芬蘭福利體系完善，社會治安有保障，無過大的貧富差距。完善的養(yǎng)老、醫(yī)療、教育及失業(yè)等福利制度是社會安定繁榮的有力保證。因此芬蘭國內(nèi)的犯罪率很低，被評為世界上最安全的國家之一。
五、費用低廉
留學生可以享受到與芬蘭本國人同等的社會福利待遇，而每年生活費用僅約為6到7萬元人民幣。此外留學生每周可有20小時的打工時間，假期則無限時。因此留學芬蘭的學生將不會有過重的經(jīng)濟壓力和負擔。
六、人才的天堂
芬蘭全球最著名的通信領域巨頭“諾基亞”、在赫爾辛基大學讀二年級的時候就開發(fā)了與微軟視窗齊名的Linux操作系統(tǒng)的芬蘭人Linux，都顯示出了芬蘭企業(yè)對人才的需求以及芬蘭學校對人才的培養(yǎng)能力。
七、職業(yè)發(fā)展前景好
芬蘭已取代瑞典成為中國在北歐最大的貿(mào)易伙伴，為中國在芬蘭留學生提供了更廣闊的就業(yè)發(fā)展平臺；同時，許多芬蘭公司意欲拓展中國市場，曾經(jīng)留學芬蘭、具有兩國文化背景的復合型人才將具有極大的競爭優(yōu)勢。
八、申根簽證可暢游歐洲
芬蘭早已加入歐盟和申根協(xié)議，擁有芬蘭簽證的您可以在緊張的學習之余，暢游歐洲。
第五篇：留學申請書
Dear x:
I would like to apply to do a Management degree. Having acted as ManagingDirector on a Young Enterprise Team whilst doing my 'AS' levels, I came up withinnovative ideas that made a very successful company. Having held managementpositions within Human Resources, Operations, and Finance, I quickly realisedthat pursuing a management degree at university would be ideal for me.
After my GCSE's, I held a temporary job as a junior in an Insolvencypractice, in order to gain work experience. Having to work to tight deadlinestaught me how to work independently as part of a professional team. I learntthat in business, if one person lacks productivity, then everyone else cansuffer, and also how to motivate others as a means of preventing such issues. Iused the skills learnt to enhance my role as the Managing Director of my youngEnterprise company, particularly methods of motivation and delegation, and thesignificance of being accountable for others. Having spent nearly three yearsworking part time in a Health food shop alongside my studies, I developed mycommunication skills, with both colleagues and customers, and proved to be atrustworthy employee.
Being appointed as Deputy Head Boy in the sixth form was a great honour tome. My skills were greatly enhanced by holding this position, as I would oftenhave to listen, and respond to issues brought up by fellow prefects, andstudents lower down the school.
Yours sincerely,
第六篇：雙學位申請書
雙學位申請書
范文一:
尊敬的領導老師：
您好，我是商學院**級**專業(yè)**班的學生，學號：**，本人從開學至今累計學分績**，專業(yè)排名第*名，英語四級**分(六級**分)，(全國)計算機二級考試**分，(簡短介紹獲獎學金情況)(簡短介紹參加課外學術科技獲獎情況)，為了適應國家經(jīng)濟建設和科學技術發(fā)展的需要且自身學習能力比較強，潛力較大且身體健康，思想品德好，同時也已經(jīng)了解了《桂林電子科技大學本科生修讀輔修專業(yè)、雙專業(yè)、雙學位管理辦法》(2013年10月28日印)，服從學校的學籍管理規(guī)定，為了，特此申請修讀**專業(yè)的雙學位，懇請批準。
此致
敬禮
申請人學號：
姓名：
**年**月**日
范文二:
尊敬的領導老師：
您好，我是商學院XX級XX專業(yè)XX班的學生，學號：XXXX,本人從開學至今累計學分：XX分，專業(yè)排名第XX名，英語四級XX分，計算機二級考試XX分，為了適應國家經(jīng)濟建設和科學技術發(fā)展的.需要且自身學習能力比較強，潛力較大且身體健康，思想品德好，同時也已經(jīng)了解了本校的雙學位管理辦法的要求，服從學校的學籍管理規(guī)定，為了XXXX，特此申請修讀XX專業(yè)的雙學位，懇請批準。
姓名：
**年**月**日
